[发明专利]中继环碳化钽镀膜设备和方法在审
申请号: | 202311160747.9 | 申请日: | 2023-09-11 |
公开(公告)号: | CN116891998A | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 袁刚俊;苏兆鸣 | 申请(专利权)人: | 通威微电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/26;C23C14/50;C23C14/24;C23C14/54 |
代理公司: | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人: | 梁晓婷 |
地址: | 610299 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜设备和方法,涉及长晶设备制造技术领域。设备包括镀膜坩埚、蒸发源坩埚和石墨加热器,镀膜坩埚包括石墨桶和坩埚盖,坩埚盖盖设在石墨桶上,坩埚盖上开设有多个安装通孔,一个安装通孔内用于放置一个待镀膜的中继环;蒸发源坩埚设置在石墨桶内、且放置在底部,蒸发源坩埚用于盛装钽颗粒;石墨加热器设置在镀膜坩埚的外围,石墨加热器用于对镀膜坩埚以及蒸发源坩埚内的钽颗粒进行加热,使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。该设备和方法能够提高镀膜效率,而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。 | ||
搜索关键词: | 中继 碳化 镀膜 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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