[发明专利]一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310921905.1 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116936571A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李新;陈嘉轩;刘贺;刘胜军 | 申请（专利权）人： | 江苏铨力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法，半导体浪涌保护器件结构，包括：三极管和电容二极管，三极管的发射极与电容二极管的阳极连接，三极管的集电极与电容二极管的阴极连接；电容二极管的电容小于三极管的电容。本申请通过将半导体浪涌保护器件结构设计为由三极管和电容二极管并联构成，使得半导体浪涌保护器件结构同时具有三极管的优良的瞬态功率，和相较于电容二极管更小的超低的寄生结电容，解决了半导体浪涌保护器件结构的结电容与瞬态功率无法兼容的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 浪涌保护器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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