[发明专利]一种半导体紫光紫外发光二极管在审
| 申请号： | 202310782298.5 | 申请日： | 2023-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN116666513A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张江勇;王星河;李水清;蔡鑫;胡志勇;张会康;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体，所述超晶格层与量子阱层之间设置有电子匹配层，所述量子阱层与电子阻挡层之间设置有空穴匹配层，所述超晶格层、电子匹配层、量子阱层和空穴匹配层组成电子空穴匹配控制层，所述电子空穴匹配控制层具有Si掺杂浓度变化趋势和Mg掺杂浓度变化趋势，所述超晶格层具有Al组分梯度和厚度梯度。本发明通过控制注入量子阱层的电子浓度和增强注入量子阱层的空穴浓度，以提升量子阱层中电子和空穴浓度的匹配程度，增强量子阱层电子空穴波函数的交叠几率，从而提升半导体紫光紫外发光二极管的量子效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 紫光 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
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