[发明专利]一种单晶炉晶体高效生长及安全水冷结构在审

专利信息
申请号: 202310780352.2 申请日: 2023-06-29
公开(公告)号: CN116575110A 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 时刚;王俊 申请(专利权)人: 西安创联新能源设备有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 广州大象飞扬知识产权代理有限公司 44745 代理人: 李静
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种单晶炉晶体高效生长及安全水冷结构,涉及单晶炉晶体生长技术领域。该单晶炉晶体高效生长及安全水冷结构,包括水冷热屏,所述水冷热屏下端圆周设置有导热环,所述导热环外侧设置有楔形散热片,所述水冷热屏内设置有冷却水,所述水冷热屏中心位置设置有单晶硅棒。通过水冷热屏采用铜合金材质结构制作,使得该结构水冷热屏具有良好的导热效果,可将单晶硅棒热量迅速带走,提高单晶硅棒生长速率与生产产能,且通过在水冷热屏下端一段高度采用不通水导热环及圆周楔形散热片结构,独特的安全结构可更大可能的避免因高温硅液熔穿水冷热屏,导致水冷热屏内部冷却水泄漏汽化发生的不安全事故发生。
搜索关键词: 一种 单晶炉 晶体 高效 生长 安全 水冷 结构
【主权项】:
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