[发明专利]逻辑电路与后道互连电路混合键合的三维集成结构及工艺有效

专利信息
申请号: 202310754869.4 申请日: 2023-06-26
公开(公告)号: CN116504753B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 王诗兆 申请(专利权)人: 湖北芯研投资合伙企业(有限合伙)
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L25/065;H01L23/31
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 吴静
地址: 430074 湖北省武汉市东湖新技术开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及集成电路三维集成技术领域,具体涉及一种逻辑电路与后道互连电路混合键合的三维集成结构及工艺,该三维集成结构包括衬底,所述衬底的上下表面均设置有互连层,所述互连层上键合有芯粒逻辑电路层,且所述互连层上设置有覆盖所述芯粒逻辑电路层的模塑层;其中一侧的模塑层表面设置有再布线层,所述再布线层通过模塑层中的塑料通孔与同侧的所述互连层连接;所述再布线层表面设置有凸点。本发明的三维集成结构及工艺实现了多芯片逻辑电路层和后道互连层并行制备,采用双面混合键合及双面模塑工艺实现了应力及翘曲调控的优势,多晶硅通孔及塑料通孔的综合使用实现了芯片的三维高密度集成。
搜索关键词: 逻辑电路 互连 电路 混合 三维 集成 结构 工艺
【主权项】:
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