[发明专利]一种具有共振隧穿层的半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310702531.4 | 申请日： | 2023-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN116565690A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 陈婉君;王星河;胡志勇;张会康;黄军;蔡鑫;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 武光勇 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有共振隧穿层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层与电子阻挡层之间和下限制层与下波导层之间设有共振隧穿输运层，通过偏置夹层异质结调控隧道势垒高度，产生共振隧穿，诱导增强指数性隧穿电流从上限制层与上波导层界面和/或下限制层与下波导层的界面隧穿注入有源层，增强空穴在有源层中的输运，提升载流子注入均匀性和峰值增益，诱导产生单重态激子和三重态激子间的强劈裂，增强有源层载注子的量子限域作用，提升激光元件有源层的辐射复合效率，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 共振 隧穿层 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
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