[发明专利]一种具有共振隧穿层的半导体激光元件在审
申请号: | 202310702531.4 | 申请日: | 2023-06-14 |
公开(公告)号: | CN116565690A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 陈婉君;王星河;胡志勇;张会康;黄军;蔡鑫;请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 安徽格恩半导体有限公司 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/323;H01S5/343 |
代理公司: | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人: | 武光勇 |
地址: | 237000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 共振 隧穿层 半导体 激光 元件 | ||
1.一种具有共振隧穿层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底(100)、下限制层(101)、下波导层(102),有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上限制层(106),其特征在于:上限制层(106)与电子阻挡层(105)之间和下限制层(101)与下波导层(102)之间设有共振隧穿输运层(107);所述电子阻挡层(105)和上限制层(106)为InGaN、InN、GaN、AlInGaN、AlN、AlGaN、AlInN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、SiC、Ga2O3、BN的任意一种或任意组合,厚度为20~1000nm,Mg掺杂浓度为1E18~1E20 cm-3。
2.如权利要求1所述的一种具有共振隧穿层的半导体激光元件,其特征在于,所述共振隧穿输运层(107)为TcS2@ReS2、ReS2@MoS2、MoS2@WSe2、WSe2@SnS、GeSe@TcS2的任意两种以上组合的二维层状拓扑异质结构。
3.如权利要求2所述的一种具有共振隧穿层的半导体激光元件,其特征在于,所述共振隧穿输运层(107)的任意组合包括以下二元组合的二维层状拓扑异质结构:
TcS2@ReS2/ReS2@MoS2,TcS2@ReS2/ReS2@MoS2,TcS2@ReS2/MoS2@WSe2,TcS2@ReS2/WSe2@SnS,
TcS2@ReS2/GeSe@TcS2,ReS2@MoS2/MoS2@WSe2,ReS2@MoS2/WSe2@SnS,ReS2@MoS2/GeSe@TcS2,MoS2@WSe2/WSe2@SnS,MoS2@WSe2/GeSe@TcS2,WSe2@SnS/GeSe@TcS2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽格恩半导体有限公司,未经安徽格恩半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310702531.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全域按压触控板
- 下一篇:一种基于时变图的路由规划方法