[发明专利]一种具有共振隧穿层的半导体激光元件在审

专利信息
申请号: 202310702531.4 申请日: 2023-06-14
公开(公告)号: CN116565690A 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 陈婉君;王星河;胡志勇;张会康;黄军;蔡鑫;请求不公布姓名 申请(专利权)人: 安徽格恩半导体有限公司
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/323;H01S5/343
代理公司: 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 代理人: 武光勇
地址: 237000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 共振 隧穿层 半导体 激光 元件
【权利要求书】:

1.一种具有共振隧穿层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底(100)、下限制层(101)、下波导层(102),有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上限制层(106),其特征在于:上限制层(106)与电子阻挡层(105)之间和下限制层(101)与下波导层(102)之间设有共振隧穿输运层(107);所述电子阻挡层(105)和上限制层(106)为InGaN、InN、GaN、AlInGaN、AlN、AlGaN、AlInN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、SiC、Ga2O3、BN的任意一种或任意组合,厚度为20~1000nm,Mg掺杂浓度为1E18~1E20 cm-3

2.如权利要求1所述的一种具有共振隧穿层的半导体激光元件,其特征在于,所述共振隧穿输运层(107)为TcS2@ReS2、ReS2@MoS2、MoS2@WSe2、WSe2@SnS、GeSe@TcS2的任意两种以上组合的二维层状拓扑异质结构。

3.如权利要求2所述的一种具有共振隧穿层的半导体激光元件,其特征在于,所述共振隧穿输运层(107)的任意组合包括以下二元组合的二维层状拓扑异质结构:

TcS2@ReS2/ReS2@MoS2,TcS2@ReS2/ReS2@MoS2,TcS2@ReS2/MoS2@WSe2,TcS2@ReS2/WSe2@SnS,

TcS2@ReS2/GeSe@TcS2,ReS2@MoS2/MoS2@WSe2,ReS2@MoS2/WSe2@SnS,ReS2@MoS2/GeSe@TcS2,MoS2@WSe2/WSe2@SnS,MoS2@WSe2/GeSe@TcS2,WSe2@SnS/GeSe@TcS2

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