[发明专利]一种生长硅锗外延的方法、外延片及器件在审
| 申请号： | 202310701465.9 | 申请日： | 2023-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN116732606A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 龚正致;廖世容;李超翰 | 申请（专利权）人： | 浙江光特科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;G02F1/015;C30B25/16;C30B29/06;C30B29/08 |
| 代理公司： | 杭州航璞专利代理有限公司 33498 | 代理人： | 贾甜甜 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种生长硅锗外延的方法，外延片及器件，方法包括：确定每一个FK通道对应的目标吸收波长，获取对应于目标吸收波长的生长外延的菜单，根据预先建立的吸收波长与虚拟图形密度之间的关联关系，识别出目标吸收波长对应的目标密度；根据所述目标密度以及对应的目标FK通道，制作对应的目标光刻板；根据所述目标光刻板，根据所述生长外延的菜单实施外延的生产，其中，外延生产得到的芯片用于封装光的多波长调制器件。应用本发明实施例，可以实现光的光的多波长调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 外延 方法 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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