[发明专利]一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法在审
| 申请号： | 202310680010.3 | 申请日： | 2023-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN116876077A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 周长健;张文倩;陈一德;唐军;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/16;C30B25/10 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法，所述外延生长装置包括：过渡腔室；第一缓存腔室，设置在所述过渡腔室的一侧；第二缓存腔室，设置在所述过渡腔室的一侧，靠近所述第一缓存腔室设置，且所述第二缓存腔室内设置有载盘；反应腔，设置在所述过渡腔室的一侧，且所述第二缓存腔室设置在所述反应腔室和所述第一缓存腔室之间；传输单元，设置在所述过渡腔室内，用于传递和承载晶圆和/或所述载盘；以及温度调节单元，设置在所述过渡腔室和所述第二缓存腔室的腔壁上，且所述温度调节单元在200℃～1500℃进行温度调节。通过本发明提供的一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法，可提高晶圆外延生长的产量和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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