[发明专利]双沟槽型MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310639552.6 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116364762A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 祁金伟 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨永恒 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双沟槽型MOSFET器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。该器件包括：第一掺杂类型的衬底，衬底的第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的基区；设置在外延层内的二掺杂类型的第一掺杂区；设置在外延层内，且与第一掺杂区接触设置的源极沟槽结构；设置在外延层内，且与源极沟槽结构间隔设置的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括：设置在外延层内的第一栅极沟槽结构，第一栅极沟槽结构的第一栅极接地；设置在外延层内的第二栅极沟槽结构，第二栅极沟槽结构与第一栅极沟槽结构接触设置。根据本申请实施例，能够提高栅极沟槽结构角部处的氧化层的可靠性，进而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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