[发明专利]双沟槽型MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上设置有所述第一掺杂类型的外延层；

设置在所述外延层内的第二掺杂类型的基区；

设置在所述外延层内的所述第二掺杂类型的第一掺杂区；

设置在所述外延层内，且与所述第一掺杂区接触设置的源极沟槽结构，所述第一掺杂区围绕所述源极沟槽结构设置；

设置在所述外延层内，且与所述源极沟槽结构间隔设置的栅极沟槽结构；

其中，所述栅极沟槽结构，包括：

设置在外延层内的第一栅极沟槽结构，所述第一栅极沟槽结构的第一栅极接地；

设置在所述外延层内的第二栅极沟槽结构，所述第二栅极沟槽结构与所述第一栅极沟槽结构接触设置；

所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述源极沟槽结构，包括：

设置在所述第一掺杂区内的源极氧化层；

设置在所述源极氧化层内的源极。

3.根据权利要求2所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一掺杂区的截面形状、所述源极氧化层的截面形状与所述源极的截面形状均为四边形。

4.根据权利要求2所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一掺杂区的截面形状、所述源极氧化层的截面形状与所述源极的截面形状均为倒阶梯形。

5.根据权利要求2所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一掺杂区的截面形状、所述源极氧化层的截面形状与所述源极的截面形状均为倒凸形。

6.根据权利要求4或5所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一掺杂区与所述衬底之间的距离小于所述源极氧化层与所述衬底之间的距离，所述源极氧化层与所述衬底之间的距离小于所述源极与所述衬底之间的距离。

7.根据权利要求1所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述双沟槽型MOSFET器件还包括：

设置在所述第一栅极沟槽结构周侧的所述第二掺杂类型的第二掺杂区。

8.根据权利要求7所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二掺杂区的截面形状为凹形。

9.根据权利要求1所述的双沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述双沟槽型MOSFET器件，还包括：

设置在所述基区内，且与所述栅极沟槽结构接触设置的所述第一掺杂类型的第三掺杂区；

设置在所述第三掺杂区与所述第一掺杂区之间的所述第二掺杂类型的第四掺杂区。

10.一种双沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：

提供第一掺杂类型的衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上设置有所述第一掺杂类型的外延层；

在所述外延层内形成第二掺杂类型的基区；

在所述外延层内形成所述第二掺杂类型的第一掺杂区；

在所述外延层内，形成与所述第一掺杂区接触设置的源极沟槽结构，所述第一掺杂区围绕所述源极沟槽结构设置；

在所述外延层内形成第一栅极沟槽结构和第二栅极沟槽结构，以在所述外延层内，形成与所述源极沟槽结构间隔设置的栅极沟槽结构，所述第一栅极沟槽结构的第一栅极接地，所述第二栅极沟槽结构与所述第一栅极沟槽结构接触设置。