[发明专利]半导体装置、电池保护电路及电源管理电路在审
| 申请号： | 202310630382.5 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN116646351A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山本兴辉;高田晴久 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02M1/00;H02H7/18;H02J7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备半导体层(40)和形成在半导体层(40)内的N(N是3以上的整数)个纵型MOS晶体管；N个纵型MOS晶体管分别在半导体层(40)的上表面具备与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；半导体层(40)具有半导体衬底(32)；半导体衬底(32)作为N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；半导体层(40)的平面图中的N个纵型MOS晶体管各自的面积与N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应，最大规格电流越大则越大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电池 保护 电路 电源 管理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
