[发明专利]半导体装置、电池保护电路及电源管理电路

权利要求书

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体层；以及

N个纵型MOS晶体管，形成在上述半导体层内，包括第1纵型MOS晶体管、第2纵型MOS晶体管和第3纵型MOS晶体管，N是3以上的整数；

上述N个纵型MOS晶体管分别在上述半导体层的上表面具有与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘、以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的源极焊盘；

上述半导体层具有半导体衬底；

上述半导体衬底作为上述N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；

在上述半导体层的平面图中，上述半导体装置是具有第1外周边、分别与上述第1外周边相邻的第2外周边及第3外周边、以及与上述第1外周边对置的第4外周边的矩形；

在上述半导体层的平面图中，上述第1纵型MOS晶体管，

是具有全长与上述第1外周边面对的第1边、全长与上述第2外周边面对并且与上述第1边相邻的第2边、以及全长与上述第3外周边面对并且与上述第1边相邻的第3边的多边形；

在上述第1外周边与上述第1边之间、上述第2外周边与上述第2边之间以及上述第3外周边与上述第3边之间，分别没有夹着上述N个纵型MOS晶体管中的其他纵型MOS晶体管；

在上述半导体层的平面图中，上述第2纵型MOS晶体管，

是具有全长与上述第2外周边面对的第4边、以及全长与上述第4外周边面对并且与上述第4边相邻的第5边的多边形；

在上述第2外周边与上述第4边之间以及上述第4外周边与上述第5边之间，分别没有夹着上述N个纵型MOS晶体管中的其他纵型MOS晶体管；

在上述半导体层的平面图中，上述第3纵型MOS晶体管，

是具有全长与上述第3外周边面对的第6边、以及全长与上述第4外周边面对并且与上述第6边相邻的第7边的多边形；

在上述第3外周边与上述第6边之间以及上述第4外周边与上述第7边之间，分别没有夹着上述N个纵型MOS晶体管中的其他纵型MOS晶体管；

与上述N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应地，最大规格电流越大则上述半导体层的平面图中的上述N个纵型MOS晶体管各自的面积越大；

在上述半导体层的平面图中将上述第1纵型MOS晶体管的面积设为S1、将上述第2纵型MOS晶体管的面积设为S2、将上述第3纵型MOS晶体管的面积设为S3的情况下，S1S2＝S3或者S1S2＝S3。