[发明专利]具有孤岛的陶瓷基板的制造方法和具有孤岛的陶瓷基板在审
申请号: | 202310618747.2 | 申请日: | 2023-05-29 |
公开(公告)号: | CN116666226A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 金华江;高珊;史冰冰;杜刘赓;卞玉振 | 申请(专利权)人: | 河北鼎瓷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/13;H01L23/15 |
代理公司: | 北京睿阳联合知识产权代理有限公司 11758 | 代理人: | 李婷 |
地址: | 050000 河北省石家庄市鹿泉经济开*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是具有孤岛的陶瓷基板的制造方法和具有孤岛的陶瓷基板,其中制造方法,包括:提供基部、孤岛和孤岛对位片,所述基部具有用于对位的第一对位部和用于与所述孤岛结合的孤岛结合部,所述孤岛对位片具有用于对位的第二对位部和与所述孤岛外形一致的孤岛对位通孔,将所述孤岛对位片平放在所述基部的表面,并使所述第二对位部和所述第一对位部对齐,所述孤岛对位通孔和所述孤岛结合部对齐,将所述孤岛放入所述孤岛对位通孔内,使所述孤岛与所述基部连接,对所述孤岛和所述基部进行施压,将所述基部上的所述孤岛对位片去除。本发明能够提高陶瓷基板上孤岛的对位精度。 | ||
搜索关键词: | 具有 孤岛 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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