[发明专利]一种电荷均匀分布的场效应管版图结构及其设计方法在审
| 申请号： | 202310596394.0 | 申请日： | 2023-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN116632000A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 景画;朱洋洋;顾晨超 | 申请（专利权）人： | 合芯科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 姚心怡 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体集成电路技术领域，公开了一种电荷均匀分布的场效应管版图结构及其设计方法，该版图结构包括第一数量的容性器件单元和第二数量的场效应管单元；容性器件单元与场效应管单元以叉指状方式并排设置。本申请能够保证场效应管中的电荷分布均匀，避免了容性器件单元单独设置在场效应管的一侧导致场效应管单元中电荷分布不均匀的情况。并且可以适用于任何尺寸的芯片制作工艺，不受芯片制作工艺尺寸的制约。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 均匀分布 场效应 版图 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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