[发明专利]一种电荷均匀分布的场效应管版图结构及其设计方法在审
申请号: | 202310596394.0 | 申请日: | 2023-05-25 |
公开(公告)号: | CN116632000A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 景画;朱洋洋;顾晨超 | 申请(专利权)人: | 合芯科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 姚心怡 |
地址: | 215163 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电荷 均匀分布 场效应 版图 结构 及其 设计 方法 | ||
1.一种电荷均匀分布的场效应管版图结构,其特征在于,所述版图结构包括第一数量的容性器件单元和第二数量的场效应管单元;
所述容性器件单元与所述场效应管单元以叉指状方式并排设置。
2.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述场效应管单元包括金属-氧化物半导体场效应晶体管和鳍式场效应晶体管。
3.根据权利要求2所述的版图结构,其特征在于,所述第一数量和所述第二数量的比例为N:1,所述N包括1-5的任意整数。
4.根据权利要求3所述的版图结构,其特征在于,当所述第一数量为4,所述第二数量为2时,所述版图结构从左至右依次为:第一容性器件单元、第一场效应管单元、第二容性器件单元、第三容性器件单元、第二场效应管单元、第四容性器件单元;
所述第一容性器件单元、所述第二容性器件单元、所述第三容性器件单元和所述第四容性器件单元的结构均相同;所述第一场效应管单元和所述第二场效应管单元的结构相同。
5.根据权利要求4所述的版图结构,其特征在于,所述容性器件单元包括电容场效应管,所述电容场效应管包括第一有源区、第一栅极、第一电源导线和接地导线;
所述第一有源区与所述第一电源导线连接,所述第一栅极与所述接地导线连接。
6.根据权利要求5所述的版图结构,其特征在于,所述场效应管单元包括工作场效应管;所述工作场效应管包括第二有源区、第二栅极、第二电源导线、输入导线和输出导线;所述第二有源区分别与所述第二电源导线和所述输出导线连接,所述第二栅极与所述输入导线连接。
7.根据权利要求6所述的版图结构,其特征在于,相邻的所述电容场效应管和所述工作场效应管中,所述第一电源导线和所述第二电源导线为同一根电源导线。
8.根据权利要求7所述的版图结构,其特征在于,当所述场效应管单元为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时,所述第一电源导线和所述第二电源导线上均设有若干个接触孔;
所述第一电源导线通过若干个所述接触孔与所述第一有源区连接,所述第二电源导线通过若干个所述接触孔与所述第二有源区连接。
9.根据权利要求7所述的版图结构,其特征在于,所述版图结构还包括衬底;
所述版图结构中的所述第一电源导线、所述第二电源导线、所述接地导线、所述输入导线和所述输出导线均设置于所述衬底之上。
10.一种电荷均匀分布的场效应管版图结构的设计方法,其特征在于,所述方法包括:
提供初始版图,所述初始版图包括相邻接的容性器件区和场效应管区;
根据第一预设规则对所述容性器件区进行拆分,得到第一数量的容性器件单元;
根据第二预设规则对所述场效应管区进行拆分,得到第二数量的场效应管单元;
将所述第一数量的所述容性器件单元和所述第二数量的所述场效应管单元以叉指状方式进行拼接,得到目标版图。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的