[发明专利]高效率的LTLN晶圆制备方法在审
| 申请号： | 202310559373.1 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116544184A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 徐建建;王小刚;王清;杨睿;冯小龙;赵小青 | 申请（专利权）人： | 忻州元鸿信息材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 山西科汇联创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14126 | 代理人： | 杨欣伦 |
| 地址： | 034000 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了高效率的LTLN晶圆制备方法，包括步骤一，多晶硅制作；步骤二，多晶硅溶解；步骤三，生成硅晶棒；步骤四，离子注入；步骤五，研磨抛光；步骤六，薄膜键合；所述步骤六中，退火时的温度控制位400‑600℃，退火时间为1‑2h，退火后采用机械设备对其进行剥离，本发明相较于现有的晶圆制备方法，通过特殊的切割液配合晶圆切片，有效降低了其碎裂与刮伤，提高了晶圆的良品率；本发明通过优化抛光工艺参数，提升了抛光均匀性与速率，并降低了表面颗粒数量；本发明通过在晶圆键合的过程中，使衬底层的键合面出现一定程度的凸起变形，强化了晶圆衬底层的键和质量，有利于后续的半导体集成电路加工。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 ltln 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
