[发明专利]高效率的LTLN晶圆制备方法

权利要求书

1.高效率的LTLN晶圆制备方法，包括以下步骤：步骤一，多晶硅制作；步骤二，多晶硅溶解；步骤三，生成硅晶棒；步骤四，离子注入；步骤五，研磨抛光；步骤六，薄膜键合；其特征在于：

其中在上述步骤一中，取一定量的二氧化硅矿石，使用电弧炉进行提炼、盐酸氯化并经过蒸馏后，得到高纯度的多晶硅；

其中在上述步骤二中，取步骤一中得到的高纯度多晶硅，将其放入石英坩埚中加热至熔融状态；

其中在上述步骤三中，向熔融状态中的多晶硅掺入硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒；

其中在上述步骤四中，利用离子注入机向单晶硅晶棒的表面打入离子，然后进行晶圆切片；

其中在上述步骤五中，切片后的晶圆采用CMP平坦化处理，进行研磨抛光；

其中在上述步骤六中，取步骤五中处理后的晶圆，利用晶圆键合设备将绝缘体上硅与底衬进行键和，最后进行退火剥离操作，得到所需晶圆。

2.根据权利要求1所述的高效率的LTLN晶圆制备方法，其特征在于：所述步骤三中，单晶硅晶棒的具体形成过程为，将晶种置于一根精确定向的棒末端，然后将其进入熔融状态的硅中，把棒缓慢的向上提拉，同时进行旋转，这样在棒的末端即可形成较大的圆柱状单晶晶锭。

3.根据权利要求1所述的高效率的LTLN晶圆制备方法，其特征在于：所述步骤四中，晶圆切片时需要使用到切割液清洗，切割液具体配方为离子水、聚醚、聚乙二醇、炔醇和封端聚醚，具体比例为150：50：15：10：1，且切割液浓度为5%。

4.根据权利要求3所述的高效率的LTLN晶圆制备方法，其特征在于：所述聚醚可用脂肪醇聚氧乙烯醚代替，聚乙二醇可用聚丙二醇代替，炔醇可用炔醇聚氧乙烯醚代替，代替后具体比例为160：40：20：15：1，切割液浓度不变。

5.根据权利要求1所述的高效率的LTLN晶圆制备方法，其特征在于：所述步骤五中，CMP平坦化处理时晶圆转速130～140r/min，清洗刷转速190～230r/min，清洗液体积流量30～40mL/min，抛光盘压力为0.17-0.19MPa，抛光垫采用SUBA IV型。

6.根据权利要求1所述的高效率的LTLN晶圆制备方法，其特征在于：所述步骤六中，在晶圆键合的过程中，衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形。

7.根据权利要求1所述的高效率的LTLN晶圆制备方法，其特征在于：所述步骤六中，退火时的温度控制位400-600℃，退火时间为1-2h，退火后采用机械设备对其进行剥离。