[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，晶圆形成有顶层金属层，刻蚀停止层覆盖顶层金属层，刻蚀停止层为至少两层堆叠的结构；形成键合层于刻蚀停止层上；刻蚀键合层，且刻蚀停止于刻蚀停止层的非最底层结构中，以形成通孔；填充保护层于通孔中；刻蚀去除通孔中的部分保护层和通孔侧壁顶部的键合层，以在通孔顶部形成沟槽；去除剩余的保护层；刻蚀去除通孔底面的刻蚀停止层，以暴露出顶层金属层；填充金属层于沟槽和通孔中，金属层与顶层金属层连接。本发明的技术方案能够改善金属扩散问题，进而能够提高混合键合良率。