[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆形成有顶层金属层，刻蚀停止层覆盖所述顶层金属层，所述刻蚀停止层为至少两层堆叠的结构；

形成键合层于所述刻蚀停止层上；

刻蚀所述键合层，且刻蚀停止于所述刻蚀停止层的非最底层结构中，以形成通孔；

填充保护层于所述通孔中；

刻蚀去除所述通孔中的部分所述保护层和所述通孔侧壁顶部的所述键合层，以在所述通孔顶部形成沟槽；

去除剩余的所述保护层；

刻蚀去除所述通孔底面的所述刻蚀停止层，以暴露出所述顶层金属层；

填充金属层于所述沟槽和所述通孔中，所述金属层与所述顶层金属层连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层包括自下向上堆叠的氧化物层和氮化硅层，在形成所述通孔时，刻蚀停止于所述氮化硅层中；或者，所述刻蚀停止层包括自下向上堆叠的第一氮化硅层、氧化物层和第二氮化硅层，在形成所述通孔时，刻蚀停止于所述第二氮化硅层或氧化物层中。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的材质包括氧化硅和/或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述键合层为多层堆叠的结构。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层包括抗反射层、旋涂碳和旋涂玻璃中的至少一种。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：

将至少两个所述晶圆进行键合，其中，相邻两个所述晶圆上的所述键合层相键合，且相邻两个所述晶圆上的所述金属层相键合。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上方形成有顶层金属层；

刻蚀停止层，覆盖所述顶层金属层，所述刻蚀停止层为至少两层堆叠的结构，所述刻蚀停止层中形成有暴露出所述顶层金属层的通孔；

键合层，形成于所述刻蚀停止层上，所述键合层中形成有沟槽，所述通孔从所述刻蚀停止层中延伸至所述键合层中且与所述沟槽连通，所述沟槽的宽度大于所述通孔的宽度；

金属层，填充于所述沟槽和所述通孔中，所述金属层与所述顶层金属层连接。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀停止层包括自下向上堆叠的氧化物层和氮化硅层，或者，所述刻蚀停止层包括自下向上堆叠的第一氮化硅层、氧化物层和第二氮化硅层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物层的材质包括氧化硅和/或氮氧化硅。

10.如权利要求7～9中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少两个相键合的所述衬底，其中，相邻两个所述衬底上方的所述键合层相键合，且相邻两个所述衬底上方的所述金属层相键合。