[发明专利]一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器在审
| 申请号： | 202310546348.X | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116566356A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 沈光煦;马海涛;韩叶 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H9/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱桢荣 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括第一射频端口、第二射频端口、晶体管组、补偿电容、补偿电感和第一至第N直流端口，晶体管组包括第一至第N晶体管，第一至第N晶体管依次串联连接的，串联方式是：第i晶体管的源极或者漏极与第i+1晶体管的源极或者漏极连接，N为大于等于1的自然数，1≤i＜N。本发明使用有源晶体管代替传统谐振结构中的电容，可以在同一电路拓扑下实现多个工作频率；充分考虑晶体管导通时的寄生电感，并通过加载补偿电容使寄生电感与加载的电容产生谐振，提升关断抑制度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 晶体管 寄生 电感 效应 片上多模 谐振器 | ||
【主权项】：
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