[发明专利]一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器

权利要求书

1.一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，包括第一射频端口、第二射频端口、晶体管组、补偿电容、补偿电感和第一至第N直流端口，晶体管组包括第一至第N晶体管，第一至第N晶体管依次串联连接的，串联方式是：第i晶体管的源极或者漏极与第i+1晶体管的源极或者漏极连接，N为大于等于1的自然数，1≤i＜N，其中，

第i晶体管的栅极与第i直流端口连接，第一晶体管的自由端作为晶体管组的输入端，第N晶体管的自由端作为晶体管组的输出端，自由端为源极或者漏极，第一射频端口与晶体管组的输入端、补偿电感的一端、第二射频端口分别连接，晶体管组的输出端与补偿电容的一端连接，补偿电容的另一端接地，补偿电感的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，第i晶体管的栅极与第i直流端口还设有栅极电阻，第i直流端口经栅极电阻接入直流偏置电压。

3.根据权利要求1所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，补偿电感为微带线电感或带状线电感或螺线电感。

4.根据权利要求1所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，补偿电容为微带线电容或金属-绝缘体-金属电容或金属-氧化物-金属电容或平板电容或交指电容。

5.根据权利要求1所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，第一至第N晶体管为场效应晶体管或高电子迁移率晶体管或mHEMT或pHEMT晶体管。

6.一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，包括第一射频端口、第二射频端口、晶体管组、补偿电容、补偿电感和第一至第N直流端口，晶体管组包括第一至第N晶体管，第一至第N晶体管依次串联连接的，串联方式是：第i晶体管的源极或者漏极与第i+1晶体管的源极或者漏极连接，N为大于等于1的自然数，1≤i＜N，其中，

第i晶体管的栅极与第i直流端口连接，第一晶体管的自由端作为晶体管组的输入端，第N晶体管的自由端作为晶体管组的输出端，自由端为源极或者漏极，第一射频端口与补偿电容的一端、补偿电感的一端、第二射频端口分别连接，补偿电容的另一端与晶体管组的输入端连接，晶体管组的输出端接地，补偿电感的另一端接地。

7.根据权利要求6所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，第i晶体管的栅极与第i直流端口还设有栅极电阻，第i直流端口经栅极电阻接入直流偏置电压。

8.根据权利要求6所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，补偿电感为微带线电感或带状线电感或螺线电感。

9.根据权利要求6所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，补偿电容为微带线电容或金属-绝缘体-金属电容或金属-氧化物-金属电容或平板电容或交指电容。

10.根据权利要求6所述的一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，其特征在于，第一至第N晶体管为场效应晶体管或高电子迁移率晶体管或mHEMT或pHEMT晶体管。