[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片在审
| 申请号： | 202310525328.4 | 申请日： | 2023-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN116520493A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;黄大骏;郑韶辉 | 申请（专利权）人： | 浙江九州量子信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/125 | 分类号： | G02B6/125;G02B6/10;G02B6/126;G02B6/14;G02B6/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光通信技术领域，公开了一种基于薄膜铌酸锂的TE和TM模分离的偏振分束器芯片，所述芯片结构包括上支路波导与下支路波导，所述上支路波导结构包括定向耦合区直波导、sin型输入和输出弯波导以及输入和输出直波导，所述下支路结构包括与上支路结构镜像对称的定向耦合区和输出区波导。与现有技术相比，本发明基于薄膜铌酸锂的芯片结构，可与量子秘钥分发系统中的其它器件一同兼容使用，便于实现量产化；使用的单模传输脊波导结构相比于条形波导结构设计，可以增强耦合区波导之间的光耦合，从而降低器件损耗；采用sin型波导分导光束，相对于90°弯波导可以大幅度减小尺寸，提高器件集成度；器件性能得到大幅提高，TE和TM消光比达到30db以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄膜 铌酸锂 te tm 分离 偏振 分束器 芯片 | ||
【主权项】：
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