[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片

权利要求书

1.一种基于薄膜铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片，其特征在于，所述偏振分束器芯片包括设置在铌酸锂基上的上支路波导与下支路波导，所述上支路波导包括上支路输入直波导、上支路输出直波导、上支路sin型输入弯波导、上支路sin型输出弯波导以及上支路定向耦合区直波导，所述下支路波导包括、下支路输出直波导、下支路sin型输出弯波导以及下支路定向耦合区直波导；所述上支路定向耦合区直波导的一端对应于与所述上支路sin型输入弯波导的一端连接，所述上支路定向耦合区直波导另一端对应与所述上支路sin型输出弯波导的一端连接；所述上支路sin型输入弯波导另外一端对应与所述上支路输入直波导连接，所述上支路sin型输出弯波导的另外一端对应与所述上支路输出直波导连接。所述下支路定向耦合区直波导右端与所述下支路sin型输出弯波导的一端连接，所述下支路sin型输出弯波导的另外一端对应与所述下支路输出直波导连接。

2.如权利要求1所述的基于薄膜铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片，其特征在于，所述上支路定向耦合区与下支路定向耦合区采用脊型光波导。

3.如权利要求1所述的基于铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片，其特征在于，所述入射光中包括两种不同偏振的光为TE入射光与TM入射光，其中，TE入射光从上支路波导的上支路输入直波导传入，从下支路波导的下支路输出直波导传出，TM入射光沿从上支路波导的上支路输入直波导传入，从上支路波导的上支路输出直波导传出，两种不同偏振的光在两个支路定向耦合区内的光耦合长度满足 L_C^TM: L_C^TE＝(n+l):n，其中，n为正整数，l为奇数，L_C^TM和L_C^TE分别为两种不同偏振的光在定向耦合区光波导内的耦合长度。

4.如权利要求3所述的基于铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片，其特征在于，所述两个支路定向耦合区的长度为L＝(n+l)* L_C^TM＝n*L_C^TE，L为所述定向耦合区的长度。

5.如权利要求1或2或3或4所述的基于铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片，其特征在于，所述上支路输入直波导、上支路输出直波导、上支路sin型输入弯波导、上支路sin型输出弯波导、定向耦合区直波导以及下支路输出直波导、下支路sin型输出弯波、下支路定向耦合区直波导均为脊波导。

6.如权利要求1或2或3或4所述的基于铌酸锂的TE模和TM模分离的偏振分束器芯片，其特征在于，所述上支路输入直波导、上支路输出直波导、上支路sin型输入弯波导、上支路sin型输出弯波导、定向耦合区直波导以及下支路输出直波导、下支路sin型输出弯波、下支路定向耦合区直波导的材料均为电介质、半导体或有机物中的一种或多种。