[发明专利]一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法在审
申请号: | 202310512755.9 | 申请日: | 2023-05-08 |
公开(公告)号: | CN116387363A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 陈美林;张轩瑞 | 申请(专利权)人: | 上海晶岳电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 上海塔科专利代理事务所(普通合伙) 31380 | 代理人: | 冯春风 |
地址: | 200241 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法,其中TVS器件包括:基板主体,基板主体包括元胞区、触发区和终端区;元胞区中形成有MOS管,触发区中形成有TVS管;TVS管为二极管结构,二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成,且P区和N区横向设置;基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属;栅极结构与MOS管的栅极相连接;互连金属使TVS管的阳极通过栅极结构与MOS管的栅极相连接;使栅极电阻并联于TVS管的阳极与MOS管的源极之间;使MOS的漏极与TVS的阴极相连;MOS管通过LDMOS工艺制造,互连金属均设置在基板主体的同一侧。 | ||
搜索关键词: | 一种 ldmos 工艺 tvs 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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