[发明专利]一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310512755.9 | 申请日： | 2023-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN116387363A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈美林;张轩瑞 | 申请（专利权）人： | 上海晶岳电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海塔科专利代理事务所(普通合伙) 31380 | 代理人： | 冯春风 |
| 地址： | 200241 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管；TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且P区和N区横向设置；基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；栅极结构与MOS管的栅极相连接；互连金属使TVS管的阳极通过栅极结构与MOS管的栅极相连接；使栅极电阻并联于TVS管的阳极与MOS管的源极之间；使MOS的漏极与TVS的阴极相连；MOS管通过LDMOS工艺制造，互连金属均设置在基板主体的同一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 工艺 tvs 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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