[发明专利]一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS工艺TVS器件，其特征在于，包括：

基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；

所述TVS管为二极管结构，所述二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且所述P区和N区横向设置；

所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构和互连金属；

所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS的阴极相连；

所述MOS管通过LDMOS工艺制造，所述互连金属均设置在所述基板主体的同一侧。

2.如权利要求1所述的LDMOS工艺TVS器件，其特征在于，所述终端区环绕于所述元胞区的外周；

所述终端区包括分压内环和分压外环，所述分压内环和所述分压外环之间为所述触发区。

3.如权利要求1所述的LDMOS工艺TVS器件，其特征在于，所述元胞区位于所述基板主体的中央，所述触发区位于所述元胞区的一侧边缘，所述终端区为环形，将所述元胞区和所述触发区包围在内。

4.如权利要求1所述的LDMOS工艺TVS器件，其特征在于，所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的同质外延层，所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；

所述触发区包括：形成在所述外延层中的第一导电类型的第一阱区，形成在所述第一阱区中的第二导电类型的第一注入区，形成在所述第一阱区中的重掺杂第一导电类型的第二注入区，以构成二极管形式的所述TVS管。

5.如权利要求4所述的LDMOS工艺TVS器件，其特征在于，所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的同质外延层，所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；

所述元胞区和所述元胞区至所述触发区包括：形成在所述外延层中的第二导电类型的第二阱区，形成在所述第二阱区的重掺杂第二导电类型的第三注入区；形成在所述外延层中的重掺杂第一导电类型的深体区，形成在所述深体区上部外周的第一导电类型的第三阱区；形成在所述第三阱区的第二导电类型的第四注入区，形成在所述深体区的重掺杂第一导电类型的第五注入区；形成在所述外延层上方的多晶硅；其中所述重掺杂第二导电类型的第三注入区构成所述MOS管的漏极，所述重掺杂第一导电类型的深体区、所述第二导电类型的第四注入区和所述第五注入区共同构成所述MOS管的源极，所述多晶硅构成所述MOS管的栅极、所述栅极结构和所述栅极电阻，或者所述第二阱区构成所述栅极电阻。