[发明专利]区熔连续加料生长硅单晶的装置和方法有效
| 申请号： | 202310493254.0 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116180229B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李涛勇;许堃;李安君;陈伟;李林东;吴超慧;高岩;陈志军 | 申请（专利权）人： | 苏州晨晖智能设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 赵亚楠 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区中国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅单晶的制备技术领域，公开了区熔连续加料生长硅单晶的装置和方法，装置包括炉体，设置在下炉腔室内的电磁约束加热器，设置在炉体上的抽真空装置和保护气体流量控制装置，设置在下炉腔室的硅单晶锭支撑拉晶模块以及设置在上炉腔室和下炉腔室之间的隔离阀，还包括：送料模块、余料送料模块和焊接线圈；送料模块用于夹持多晶硅棒新料，并持续送料，并且在所夹持多晶硅棒新料消耗至预定长度、由余料送料模块夹持接续送料时自动对多晶硅棒余料解持，返回上炉腔室。本发明提供的装置和方法能实现装置持续送料生长硅单晶锭，扩大了单根硅单晶锭的单重，提高了生产效率和硅片切片利用率，成为高效制备区熔硅单晶的技术手段。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 加料 生长 硅单晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晨晖智能设备有限公司，未经苏州晨晖智能设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310493254.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高阻燃高耐磨电缆材料及电缆
- 下一篇：城市智能管理系统
