[发明专利]碳化硅双沟道型功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310458751.7 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116469770A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾;张学强;汪之涵;和巍巍 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/41 |
| 代理公司： | 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 | 代理人： | 李小东 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种碳化硅双沟道型功率器件及其制备方法。该方法包括：在N型碳化硅衬底的正面依次生长第一沟道层、中间接引电极层、第二沟道层以及欧姆接触层；在欧姆接触层上注入P型杂质，以形成杂质层；从欧姆接触层至第一沟道层刻蚀出栅极槽，并在栅极槽内形成栅电极；在欧姆接触层以及杂质层上，通过淀积隔离介质形成隔离栅电极与源电极的阻挡层；在阻挡层上刻蚀出用于连接金属引线的连接部，并通过淀积金属工艺以及光刻工艺，形成栅电极与源电极的接触层；在碳化硅衬底的背面淀积金属以形成金属层。通过上述方式，本发明能够降低光刻层数，节约成本且提升光刻精度，同时能够提升耐压，无需依靠终端来维持耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 沟道 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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