[发明专利]一种上下导电层互联金属化陶瓷基板及其制作方法在审
| 申请号: | 202310457676.2 | 申请日: | 2023-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN116387243A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
| 发明(设计)人: | 井敏 | 申请(专利权)人: | 井敏 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司: | 江苏瑞途律师事务所 32346 | 代理人: | 金龙 |
| 地址: | 234222*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种上下导电层互联金属化陶瓷基板及其制作方法,属于电力电子器件封装技术领域。针对现有技术中存在的金属化陶瓷基板的工艺特性使得上下导电层互联相对困难等问题,本发明提供了一种上下导电层互联金属化陶瓷基板及其制作方法,在金属化陶瓷基板的第一金属层和第二金属层上分别加工出第一盲孔和第二盲孔,沿第一盲孔和第二盲孔中心线方向加工出通孔,再将金属互联零件固定安装在金属化陶瓷基板的第一盲孔、第二盲孔以及通孔内,使得金属互联零件与金属化陶瓷基板位于同一水平面,从而金属化陶瓷基板可以上下导电,快速实现电信号互联,工艺结构简单,极大地降低生产成本,具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 上下 导电 层互联 金属化 陶瓷 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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