[发明专利]一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310454144.3 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116600633A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 梁逸雷;张浩 | 申请（专利权）人： | 新微比特纳米科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 苏州创智慧成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32419 | 代理人： | 付伟 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法。在本发明中，首次提出将反铁磁材料同时应用于光感与阻变存储功能层中。该忆阻件由光感输入端与阻变输出端组成，通过反铁磁的逆自旋与自旋霍尔效应实现光感输入与阻变存储。本发明是一种新型忆阻器，其将光感与阻变部分集成，具有同质衬底外延、薄膜无应力、低功耗、抗磁场、输入端可扩展等特点，为光感神经拟态计算提供一个感存算一体的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反铁磁 赫兹 调控 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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