[发明专利]一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310454144.3 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116600633A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 梁逸雷;张浩 | 申请（专利权）人： | 新微比特纳米科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 苏州创智慧成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32419 | 代理人： | 付伟 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反铁磁 赫兹 调控 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括位于基底上的底部连通电极，位于底部连通电极上间隔分布的光感输入端与阻变输出端，所述光感输入端包括光感输入层，所述阻变输出端自下而上包括阻变层和顶部电极，所述光感输入层和阻变层均采用反铁磁材料，所述光感输入层和阻变层均与所述底部连通电极接触连接。
2.如权利要求1所述的一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，光感输入端的数量为一个或多个。
3.如权利要求2所述的一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，光感输入端与阻变输出端的间距大于0且不大于5cm。
4.如权利要求1所述的一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，所述基底为钛酸锶，其厚度为0.1-1mm。
5.如权利要求1所述的一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，所述底部连通电极采用钌酸锶，其厚度为10-50nm。
6.如权利要求1所述的一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，所述光感输入层和阻变层为双轴氧化镍，其厚度为5-50nm。
7.如权利要求1所述的一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器，其特征在于，所述顶部电极材料采用氮化钛或金属材料，其厚度为10-50nm。
8.一种如权利要求1-7任一所述的基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
S1，准备和清洗基底；
S2，在所述基底上外延生长底部连通电极；
S3，外延生长间隔分布的光感输入层和阻变层；
S4，在阻变层上制备顶部电极。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用脉冲激光沉积技术制备所述底部连通电极、所述光感输入层和所述阻变层；采用直流反应磁控溅射法制备顶部电极。
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