[发明专利]针对光刻中光罩热效应的修正方法在审

专利信息
申请号: 202310442773.4 申请日: 2023-04-23
公开(公告)号: CN116540489A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 陈超;顾珍;张磊;陈昊瑜 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;G03F1/44;G03F1/72;G03F9/00;G01J5/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请提供一种针对光刻中光罩热效应的修正方法,包括:步骤S1,通过测量掩膜版光罩在光刻测试作业中的温度变化和套准偏差,预先建立该掩膜版光罩的套准偏差修正模型;步骤S2,实时测量掩膜版光罩单个或多个位置的温度,代入步骤S1中建立的套准偏差修正模型,计算出套准偏差的补偿值;步骤S3,根据步骤S2中得到的套准偏差的补偿值,在量产连续作业的每次作业开始前进行套准偏差的补偿;步骤S4,重复实施步骤S2和步骤S3,直至量产连续作业的所有作业完成。根据本申请,可以在一次量产连续作业中为每一次的作业给出精准的套准偏差修正,增加了受光罩热效应影响的一次量产连续作业的作业次数,从而提高作业效率和质量。
搜索关键词: 针对 光刻 中光罩 热效应 修正 方法
【主权项】:
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