[发明专利]针对光刻中光罩热效应的修正方法在审
申请号: | 202310442773.4 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN116540489A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 陈超;顾珍;张磊;陈昊瑜 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/44;G03F1/72;G03F9/00;G01J5/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种针对光刻中光罩热效应的修正方法,包括:步骤S1,通过测量掩膜版光罩在光刻测试作业中的温度变化和套准偏差,预先建立该掩膜版光罩的套准偏差修正模型;步骤S2,实时测量掩膜版光罩单个或多个位置的温度,代入步骤S1中建立的套准偏差修正模型,计算出套准偏差的补偿值;步骤S3,根据步骤S2中得到的套准偏差的补偿值,在量产连续作业的每次作业开始前进行套准偏差的补偿;步骤S4,重复实施步骤S2和步骤S3,直至量产连续作业的所有作业完成。根据本申请,可以在一次量产连续作业中为每一次的作业给出精准的套准偏差修正,增加了受光罩热效应影响的一次量产连续作业的作业次数,从而提高作业效率和质量。 | ||
搜索关键词: | 针对 光刻 中光罩 热效应 修正 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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