[发明专利]针对光刻中光罩热效应的修正方法在审
| 申请号： | 202310442773.4 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116540489A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈超;顾珍;张磊;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/44;G03F1/72;G03F9/00;G01J5/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 针对 光刻 中光罩 热效应 修正 方法 | ||
1.一种针对光刻中光罩热效应的修正方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1，通过测量掩膜版光罩在光刻测试作业中的温度变化和套准偏差，预先建立所述掩膜版光罩的套准偏差修正模型；
步骤S2，实时测量所述掩膜版光罩单个或多个位置的温度，代入所述步骤S1中建立的套准偏差修正模型，计算出套准偏差的补偿值；
步骤S3，根据所述步骤S2中得到的套准偏差的补偿值，在量产连续作业的每次作业开始前进行套准偏差的补偿；
步骤S4，重复实施所述步骤S2和所述步骤S3，直至所述量产连续作业的所有作业完成。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在光刻机的掩膜版工作台上设置的红外测温装置实时测量所述掩膜版光罩单个或多个位置的温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据套准偏差修正的实际需要确定对所述掩模版光罩进行红外测温的位置以及所述位置的数量。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述红外测温装置设置在掩模版曝光区域的边界和光罩保护膜的边框之间限定的区域的四个顶角。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述量产连续作业的作业次数时要确保一次连续作业中光罩热效应所造成的最大套准偏差量在限制范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中测量的套准偏差包含所述光罩热效应以外因素造成的套准偏差与所述光罩热效应造成的套准偏差。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
