[发明专利]一种通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法在审
申请号: | 202310403774.8 | 申请日: | 2023-04-17 |
公开(公告)号: | CN116234408A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 赵志云;马熙圆;高越;黄艳艳;印嘉成;张志豪 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H10N10/01 | 分类号: | H10N10/01;B82Y15/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 许洁 |
地址: | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法,该方法通过将二个半导体量子点串联耦合,并对与量子点连接的两侧电极施加不同的热辐射,让双量子点结构中存在温度梯度;如果在量子点中施加磁场,则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关,从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时,会发生不同的干涉效应,使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开,从而获得纯热电势;适当调整结构参数的情况下,调节光场可以让双量子点结构的自旋热电势进一步增强,为设计快速响应、高效低能耗和灵敏温度探测提供基础;优于传统的电荷热电势,突破了热电效率低下的限制,且适用于自旋过滤装置或热电转换领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 通过 照射 增强 量子 结构 自旋 电势 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学,未经南通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310403774.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种漏料装置
- 下一篇:一种金属材料拉伸测试机