[发明专利]一种通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法在审
| 申请号： | 202310403774.8 | 申请日： | 2023-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN116234408A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 赵志云;马熙圆;高越;黄艳艳;印嘉成;张志豪 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 照射 增强 量子 结构 自旋 电势 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法，其特征在于：该方法的步骤如下：
(1)将两个半导体量子点通过隧道结耦合成双量子点结构；
(2)通过阴极探针对双量子点结构进行X、Y、Z三个方向的空间限制；
(3)在双量子点结构的两侧安设与外电路相连接的左电极和右电极，然后在左电极和右电极施加热辐射，令左电极和右电极之间具有温度梯度；
(4)往双量子点结构注入电子，让自旋朝上与自旋朝下的电子在双量子点结构的自旋相关耦合以及温度梯度的影响下发生分离，且分别往左电极与右电极方向移动，让双量子点结构的自旋热电势进一步增强。
2.根据权利要求1所述的通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法，其特征在于：所述步骤(1)的半导体量子点粒径范围是2nm～1um。
3.根据权利要求1所述的通过光场照射增强双量子点结构中自旋热电势的方法，其特征在于：所述步骤(3)的热势差取值范围是5K～30K。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310403774.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种漏料装置
- 下一篇：一种金属材料拉伸测试机
