[发明专利]银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法及痕量检测方法在审
| 申请号： | 202310397575.0 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN116577314A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李世林;凌云汉;张政军;陈诚;林鹰 | 申请（专利权）人： | 清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法，包括：配制含钯离子溶液；采用所述含钯离子溶液对所述银基表面增强拉曼基片的表面进行修饰，使所述钯离子与所述表面结合形成包覆所述表面的钯原子薄层；其中，所述钯原子薄层用于去除所述表面的吸附杂质和氧化物质。该方法在不损伤银基SERS基片灵敏度的前提下，消除了吸附于银基片的杂质峰干扰，解决了纳米银易氧化等问题，并且，该方法操作工艺简单，成本极低，易于推广及大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 增强 拉曼基片杂峰 消除 方法 痕量 检测 | ||
【主权项】：
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