[发明专利]银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法及痕量检测方法在审
| 申请号: | 202310397575.0 | 申请日: | 2023-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN116577314A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | 李世林;凌云汉;张政军;陈诚;林鹰 | 申请(专利权)人: | 清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
| 地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 增强 拉曼基片杂峰 消除 方法 痕量 检测 | ||
1.一种银基表面增强拉曼基片杂峰的消除方法,包括:
配制含钯离子溶液;
采用所述含钯离子溶液对所述银基表面增强拉曼基片的表面进行修饰,使所述钯离子与所述表面结合形成包覆所述表面的钯原子薄层;
其中,所述钯原子薄层用于去除所述表面的吸附杂质和氧化物质。
2.根据权利要求1所述的消除方法,其中,所述钯离子溶液包括盐酸钯溶液、硫酸钯溶液、硝酸钯溶液、磷酸钯溶液、碳酸钯溶液、乙酸钯溶液中的其中之一。
3.根据权利要求1或2所述的消除方法,其中,所述钯离子溶液的溶剂包括钯水或有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的消除方法,其中,所述有机溶剂包括乙醇、乙腈、正己烷中的其中之一。
5.根据权利要求1或2所述的消除方法,其中,所述配制含钯离子溶液包括:
配置钯离子浓度范围为0.1mM-10mM的所述钯离子溶液。
6.根据权利要求1所述的消除方法,其中,所述采用所述含钯离子溶液对所述银基表面增强拉曼基片的表面进行修饰包括:
将所述银基表面增强拉曼基片置于所述含钯离子溶液中浸泡预设时间段;或者
将所述含钯离子溶液滴加在所述银基表面增强拉曼基片表面,保持预设时间段。
7.根据权利要求6所述的消除方法,其中,所述预设时间段的范围为10min-360min。
8.根据权利要求1所述的消除方法,其中,所述钯原子薄层的厚度范围1nm-10nm。
9.一种痕量检测方法,所述痕量检测方法基于权利要求1-8任一项所述的消除方法进行检测,包括:
采用含钯离子溶液对银基表面增强拉曼基片的表面进行修饰;
利用修饰后的所述银基表面增强拉曼基片对待测物质进行拉曼检测,得到所述待测物质的拉曼光谱;
根据所述拉曼光谱对所述待测物质进行痕量分析。
10.根据权利要求9所述的痕量检测方法,其中,所述利用修饰后的所述银基表面增强拉曼基片对待测物质溶液进行拉曼检测包括:
将包含所述待测物质的溶液滴加在修饰后的所述银基表面增强拉曼基片的表面或将修饰后的所述银基表面增强拉曼基片的表面浸泡在包含所述待测物质的溶液中;
在间隔预设时间段后,采用台式拉曼光谱仪检测所述待测物质的拉曼光谱。
11.根据权利要求9或10所述的痕量检测方法,其中,所述拉曼检测采用的激光波长包括532nm、633nm、785nm及1064nm中的其中之一。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司,未经清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310397575.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种户外可移动智能充电桩
- 下一篇:一种针对有女儿墙的屋面临边安全防护装置





