[发明专利]一种LED钝化层及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202310375661.1 | 申请日： | 2023-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN116435436A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 罗钢铁;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 万建 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一LED钝化层及其制备方法、LED芯片，LED钝化层沉积在GaN外延片的表面，LED钝化层包括第一钝化子层和沉积在第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，第一钝化子层沉积在GaN外延片的切割走道边缘表面，第二钝化子层沉积在第一钝化子层和GaN外延片表面，通过在GaN外延片的表面沉积第一钝化子层和第二钝化子层，其中，第一钝化子层采用TiO |
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| 搜索关键词： | 一种 led 钝化 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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