[发明专利]一种LED钝化层及其制备方法、LED芯片

权利要求书

1.一种LED钝化层，所述LED钝化层沉积在GaN外延片的表面，其特征在于，所述LED钝化层包括第一钝化子层和沉积在所述第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，所述第一钝化子层沉积在所述GaN外延片的切割走道边缘表面，所述第二钝化子层沉积在所述第一钝化子层和未沉积所述第一钝化子层的所述GaN外延片表面。

2.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层位于所述GaN外延片的切割走道边缘宽度为5μm～10μm。

3.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层的厚度为

4.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第二钝化子层的厚度为

5.根据权利要求1～4任一项所述的LED钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层为TiO₂。

6.根据权利要求1～4任一项所述的LED钝化层，其特征在于，所述第二钝化子层为SiO₂。

7.一种LED钝化层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

准备一GaN外延片，并对所述GaN外延片进行刻蚀以形成切割走道边缘；

在所述GaN外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层；

在所述第一钝化子层和未设有所述第一钝化子层的所述GaN外延片表面制备第二钝化子层。

8.如权利要求7所述的LED钝化层的制备方法，其特征在于，所述在所述GaN外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层的步骤包括：

将所述GaN外延片放置于一蒸镀机台上，并对所述GaN外延片进行预热，预热的温度为100℃～150℃，预热的压强为1.5＊10^-2Pa-2＊10^-2Pa；

在所述GaN外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层，制备的温度为100℃～150℃，制备的压强为1.5＊10^-2Pa-2＊10^-2Pa，制备的速率为制备的时间为20s-40s。

9.如权利要求7所述的LED钝化层的制备方法，其特征在于，所述在所述第一钝化子层和未设有所述第一钝化子层的所述GaN外延片表面制备第二钝化子层的步骤包括：

将镀有所述第一钝化子层的所述GaN外延片放置于一蒸镀机台上，并对镀有所述第一钝化子层的所述GaN外延片进行预热，预热温度为220℃～240℃，预热的压强为90Pa～120Pa；

在所述第一钝化子层表面和未设有所述第一钝化子层的所述GaN外延片表面制备第二钝化子层，制备温度为220℃～240℃，压强为90Pa～120Pa并进行多段式沉积，其中，制备的速率为对应制备的时间为10s-20s和制备的速率为对应制备的时间为110s-120s。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的LED钝化层。