[发明专利]一种基于多级级联结构的中红外波导集成探测器在审
| 申请号: | 202310360178.6 | 申请日: | 2023-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN116344658A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 柴旭良;周易;陈建新 | 申请(专利权)人: | 国科大杭州高等研究院 |
| 主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司: | 北京博尔赫知识产权代理事务所(普通合伙) 16045 | 代理人: | 王灿 |
| 地址: | 310024 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明属于半导体技术领域,本发明公开了一种基于多级级联结构的中红外波导集成探测器。本发明所述中红外波导集成探测器由下至上依次包括衬底、下包层、下波导层、上包层、上波导层和顶部接触层;其中上波导层包括若干周期级联结构的吸收层;所述每个周期级联结构的吸收层由下至上依次包括弛豫区、吸收区和隧穿区。本发明采用多级级联结构的吸收层,可以有效减小吸收长度,提高探测器的灵敏度和响应速度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 多级 级联 结构 红外 波导 集成 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





