[发明专利]一种GaN HEMT器件

摘要

本申请公开了一种GaN HEMT器件，包括沿第一方向层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，势垒层远离GaN沟道层的表面设有相互间隔的源极、栅极结构和漏极；还包括反向续流二极管，设于势垒层远离GaN沟道层的表面且位于栅极结构与漏极之间，包括金属阳极和多个第一P‑GaN结构，每个第一P‑GaN结构至少部分位于金属阳极靠近漏极的一侧，多个第一P‑GaN结构与金属阳极接触设置且呈梳齿状排列。第一P‑GaN结构设置于势垒层远离GaN沟道层的表面，多个第一P‑GaN结构在第二方向上相互平行且间隔设置，金属阳极与势垒层形成肖特基接触，与第一P‑GaN结构形成欧姆接触。通过上述设置，解决了现有技术中集成肖特基二极管反向泄漏电流大、耐压能力差的问题。