[发明专利]一种GaN HEMT器件

权利要求书

1.一种GaN HEMT器件，包括沿第一方向依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层；所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面设置有相互间隔的源极、栅极结构和漏极，所述栅极结构设置于所述源极与所述漏极之间；其特征在于，

还包括集成于所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面的反向续流二极管，所述反向续流二极管设置于所述栅极结构与所述漏极之间，包括金属阳极和多个第一P-GaN结构，所述金属阳极与所述栅极结构间隔设置，每个所述第一P-GaN结构至少部分位于所述金属阳极靠近所述漏极的一侧，多个所述第一P-GaN结构与所述金属阳极接触设置且呈梳齿状排列；所述第一P-GaN结构设置于所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面，所述金属阳极沿着第二方向延伸，多个所述第一P-GaN结构在第二方向上相互平行且间隔设置，每个所述第一P-GaN结构沿着第三方向延伸；所述金属阳极与所述势垒层形成肖特基接触，与所述第一P-GaN结构形成欧姆接触；

其中，所述第三方向为从所述源极向所述漏极延伸的方向，所述第二方向为垂直于所述第三方向和所述第一方向的方向。

2.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，沿着所述第二方向，所述金属阳极与所述第一P-GaN结构远离所述势垒层的表面和所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面均有接触，且一部分所述金属阳极覆盖部分所述第一P-GaN结构，另一部分所述金属阳极覆盖部分所述势垒层；

其中，所述GaN HEMT器件包括在所述第二方向上间隔且相互平行的第一截面和第二截面，在所述第一截面上，所述金属阳极覆盖部分所述第一P-GaN结构远离所述势垒层的表面，在所述第二截面上，所述金属阳极覆盖部分所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面。

3.根据权利要求2所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第一P-GaN结构与所述栅极结构间隔设置，所述第一P-GaN结构与所述漏极间隔设置；

在所述第一截面上，所述金属阳极覆盖于所述第一P-GaN结构靠近所述栅极结构的第一端且位于所述第一P-GaN结构远离所述势垒层的表面；或

在所述第一截面上，沿着所述第三方向，一部分所述金属阳极覆盖于所述第一P-GaN结构靠近所述栅极结构的第一端且位于所述第一P-GaN结构远离所述势垒层的表面，另一部分所述金属阳极覆盖于所述第一P-GaN结构靠近所述栅极结构的第一端的端面。

4.根据权利要求2所述的GaN HEMT器件，其特征在于，在所述第一截面上，所述金属阳极覆盖于所述第一P-GaN结构远离所述势垒层的表面且与所述第一P-GaN结构的第一端和第二端间隔设置；所述第一P-GaN结构靠近所述栅极结构的第一端向所述栅极结构延伸，并与所述栅极结构接触设置。

5.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述金属阳极与所述第一P-GaN结构均设置于所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面，所述第一P-GaN结构位于所述金属阳极靠近所述漏极的一侧；

所述GaN HEMT器件包括在所述第二方向上间隔且相互平行的第一截面和第二截面，在所述第一截面上，所述第一P-GaN结构靠近所述栅极结构的第一端的端面与所述金属阳极靠近所述漏极的表面接触设置；在所述第二截面上，所述金属阳极覆盖部分所述势垒层远离所述GaN沟道层的表面。

6.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第一P-GaN结构靠近所述漏极的第二端向所述漏极延伸，并与所述漏极接触设置，所述金属阳极与所述漏极间隔设置。