[发明专利]制备双层SOI材料的方法在审
| 申请号： | 202310331894.1 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116344436A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈国兴;汪聪颖;刘燕 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种制备双层SOI材料的方法，所述方法包括如下步骤：提供一第一衬底；在所述第一衬底的表面注入起泡离子；提供一第二衬底，将所述第一衬底注入起泡离子的表面与第二衬底进行键合；剥离远离所述第二衬底的部分第一衬底得到单层SOI材料；提供一第三衬底；在所述第三衬底的表面注入起泡离子；将所述第三衬底注入起泡离子的表面与所述单层SOI材料进行键合；剥离远离所述单层SOI材料的部分第三衬底得到双层SOI材料。通过本方法可以得到均匀性良好的双层SOI材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 双层 soi 材料 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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