[发明专利]制备双层SOI材料的方法在审
| 申请号： | 202310331894.1 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116344436A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈国兴;汪聪颖;刘燕 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 双层 soi 材料 方法 | ||
1.一种制备双层SOI材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一第一衬底；
在所述第一衬底的表面注入起泡离子；
提供一第二衬底，将所述第一衬底注入起泡离子的表面与第二衬底进行键合；
剥离远离所述第二衬底的部分第一衬底得到单层SOI材料；
提供一第三衬底；
在所述第三衬底的表面注入起泡离子；
将所述第三衬底注入起泡离子的表面与所述单层SOI材料进行键合；
剥离远离所述单层SOI材料的部分第三衬底得到双层SOI材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一衬底、第二衬底、和第三衬底为单晶硅衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一衬底注入起泡离子前，进一步包括在所述第一衬底的表面形成氧化层的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一衬底表面形成氧化层的方法为热氧化法和化学气相沉积法中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第三衬底注入起泡离子前，进一步包括在所述第三衬底的表面形成氧化层的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第三衬底表面形成氧化层的方法为热氧化法和化学气相沉积法中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述起泡离子选自于氢离子和氦离子中的一种或其组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二衬底与第一衬底键合的表面为光面或者有氧化层中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过化学机械研磨工艺对所述单层SOI材料和双层SOI材料进行抛光。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三衬底与所述单层SOI材料通过等离子处理和真空键合进行贴合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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