[发明专利]一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法在审
| 申请号： | 202310326805.4 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116356428A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 霍晨亮 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学珠海校区 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京沃知思真知识产权代理有限公司 11942 | 代理人： | 袁辰亮 |
| 地址： | 519087 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料与太阳能技术领域，提出了一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，与传统的酸性金属催化腐蚀不同在于，该方法无需使用金属离子，可以在单晶硅的表面制备大面积的微纳米倒金字塔阵列结构，这种倒金字塔结构能够有效的吸收光线，进而改善光伏器件的光反射特性，提高太阳能电池的光电转化效率。本方法制备的微纳米结构倒金字塔阵列具有体积小等优点，且制备工艺简单，成本低廉，安全无污染，可大规模用于太阳能电池的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 金字塔 湿法 方法 | ||
【主权项】：
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