[发明专利]一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法在审
| 申请号： | 202310326805.4 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116356428A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 霍晨亮 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学珠海校区 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京沃知思真知识产权代理有限公司 11942 | 代理人： | 袁辰亮 |
| 地址： | 519087 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 金字塔 湿法 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将表面清洁的晶体硅片放入含有混合处理制剂的容器中，在80℃下反应120-140分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米倒金字塔绒面；
S2、将腐蚀后的晶体硅片放入去离子水溶液里面浸泡去掉表面残存的氢氟酸；
所述混合处理制剂为焦亚硫酸钾和氢氟酸混合溶液或焦亚硫酸钠和氢氟酸混合溶液。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，其特征在于，所述S1中的晶体硅片为单晶硅片或类单晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，其特征在于，所述焦亚硫酸钾浓度为0.1-1mol/L，氢氟酸浓度为10-20mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅表面倒金字塔湿法制绒方法，其特征在于，所述焦亚硫酸钠浓度为0.1-1mol/L，氢氟酸浓度为10-20mol/L。
5.一种晶硅太阳能电池，包括晶硅基材，其特征在于，所述晶硅基材具有权利要求1-4任一所述方法制备的大面积微纳倒金字塔绒面。
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