[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202310322791.9 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116031205B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 朱小锋 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的衬底中分别形成有漏区和源区，且栅极结构和衬底的表面上覆盖有阻挡层；形成连接材料层覆盖阻挡层，图形化连接材料层以形成若干连接图形，且若干连接图形的顶部齐平；形成介质层，刻蚀介质层以形成若干第一开口；沿第一开口刻蚀去除连接图形，连接图形所在的区域转变为第二开口；沿第二开口刻蚀去除第二开口底部的阻挡层，第一开口和第二开口连通构成接触孔；以及，在接触孔中填充金属材质以形成接触插塞。本发明能够有效避免因刻蚀量差异导致的栅极吃穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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