[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中分别形成有漏区和源区，且所述栅极结构和所述衬底的表面上覆盖有阻挡层；

形成连接材料层覆盖所述阻挡层，图形化所述连接材料层以形成若干连接图形，若干所述连接图形分别位于所述栅极结构、所述源区和所述漏区的上方，且若干所述连接图形的顶部齐平；

形成介质层覆盖所述栅极结构、所述衬底、所述阻挡层及所述连接图形，刻蚀所述介质层以形成若干第一开口，所述第一开口的底部显露出所述连接图形的顶部，且所述连接材料层、所述介质层和所述阻挡层的材质均不同，其中所述连接材料层的刻蚀选择比大于所述介质层和所述阻挡层的刻蚀选择比；

沿所述第一开口刻蚀去除所述连接图形，所述连接图形所在的区域转变为第二开口；

沿所述第二开口刻蚀去除所述第二开口底部的阻挡层，以使所述第二开口延伸至所述栅极结构的顶面及所述源区和所述漏区的表面，所述第一开口和所述第二开口连通构成接触孔；以及，

在所述接触孔中填充金属材质以形成接触插塞。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一开口的底部与所述连接图形的顶部完全对准。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材质包括氮化硅，所述介质层的材质包括氧化硅。

4.如权利要求1或3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述连接材料层的材质包括多晶硅或无定型碳。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，当所述连接材料层的材质为多晶硅时，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述连接图形。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀剂包括氨水。

7.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，当所述连接材料层的材质为无定型碳时，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除所述连接图形。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括氧气。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀所述介质层以形成若干第一开口、刻蚀去除所述连接图形以及刻蚀去除所述第二开口底部的阻挡层均在同一工艺腔内进行。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述连接材料层覆盖所述阻挡层且覆盖至所述栅极结构的上方之后，执行研磨工艺以使所述连接材料层的顶部平坦。