[发明专利]一种刻蚀辅助剂及其制备方法和应用方法在审
| 申请号： | 202310301123.8 | 申请日： | 2023-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN116536050A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈加旺;贾锐;李星;李明辉;高志博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C09K13/02 | 分类号： | C09K13/02;H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种刻蚀辅助剂及其制备方法和应用方法，涉及感光化学技术领域。所述刻蚀辅助剂包括以组分：0.1‑2.0wt％亚甲基双萘磺酸钠、0.1‑2.0wt％绒面催化剂、0.005‑0.05wt％脱泡剂、0.001‑0.05wt％外观修饰剂、0.1‑2.0wt％反应调节剂，余量为去离子水。本发明中的刻蚀辅助剂以亚甲基双萘磺酸钠为主要成分，配合使用绒面催化剂、脱泡剂、外观修饰剂和反应调节剂，在进行单晶硅表面刻蚀的过程中保证反应持续、稳定、均匀进行，最终得到的单晶硅表面形成了底座边长在3‑5um的金字塔结构形貌，可以实现异质结结构的高质量界面钝化，对于推动异质结太阳能电池产业化具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 辅助剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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