[发明专利]一种在单胞级别集成结势垒肖特基二极管的MOSFET器件及制备在审
| 申请号： | 202310284780.6 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116435334A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 曾立荣;刘韵吉 | 申请（专利权）人： | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07;H01L29/78;H01L29/872;H01L21/82 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211113 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种集成结势垒肖特基二极管的MOSFET器件，器件自下至上包括漏极，重掺杂N型衬底，N‑外延层；N‑外延层内部接近上表面通过掺杂变化而形成周期性区域，外延层上表面包含周期性交替凸起栅极区和相对凹陷下去的金属接触区；每个器件由成百上千个周期的单胞构成，周期单胞包括栅极区：外延层内的掺杂区包括两个相邻的P阱区，每个P阱区又包含一个N+区和一个P+区的部分或全部；N‑外延层内，两个相邻的P阱区之间是JFET区；N‑外延层表面，横跨两个P阱区的上方，自下而上，有栅极介质层，栅极，层间介质和金属层；金属接触区金属层在肖特基接触区上方形成肖特基接触,并在N+区上方和层间介质的上方形成源极金属。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 级别 集成 结势垒肖特基 二极管 mosfet 器件 制备 | ||
【主权项】：
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